TJT120A0X43Z jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TJT120A0X43Z, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TJT120A0X43Z przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TJT120A0X43Z z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TJT120A0X43Z
- Part Number:
- TJT120A0X43Z
- Producent:
- GE Critical Power
- Opis:
- DC DC CONVERTER 0.6-1.5V
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 42376 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TJT120A0X43Z.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście 4: | - |
| Napięcie - Wyjście 3: | - |
| Napięcie - Wyjście 2: | - |
| Napięcie - Wyjście 1: | 0.6 ~ 1.5 V |
| Napięcie - Wejście (Min): | 7V |
| Napięcie - wejściowa (maks): | 14V |
| Rodzaj: | Non-Isolated PoL Module |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Module |
| Rozmiar / Wymiar: | 2.12" L x 1.25" W x 0.55" H (53.8mm x 31.7mm x 13.9mm) |
| Seria: | TeraDLynx™ II |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 38-DIP Module |
| Inne nazwy: | 150049601 555-1412 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba wyjść: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO |
| Wydajność: | 94% |
| szczegółowy opis: | Non-Isolated PoL Module DC DC Converter 1 Output 0.6 ~ 1.5 V 120A 7V - 14V Input |
| Obecny - Wyjście (Max): | 120A |
| Funkcje sterowania: | Enable, Active High |
| Aplikacje: | ITE (Commercial) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TJT120A0X43Z
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia