THGAF8T1T83BAIR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla THGAF8T1T83BAIR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla THGAF8T1T83BAIR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup THGAF8T1T83BAIR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
THGAF8T1T83BAIR
- Part Number:
- THGAF8T1T83BAIR
- Producent:
- Toshiba Memory America, Inc.
- Opis:
- IC FLASH 2T UFS 153VFBGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 53293 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- THGAF8T1T83BAIR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | - |
| Napięcie - Dostawa: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Technologia: | FLASH - NAND |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 153-VFBGA (11.5x13) |
| Seria: | Consumer UFS |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 153-VFBGA |
| Inne nazwy: | THGAF8T1T83BAIRYGJ |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 2Tb (256G x 8) |
| Interfejs pamięci: | UFS |
| Format pamięci: | FLASH |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | FLASH - NAND Memory IC 2Tb (256G x 8) UFS 153-VFBGA (11.5x13) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do THGAF8T1T83BAIR
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025