TFDU4101-TT3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TFDU4101-TT3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TFDU4101-TT3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TFDU4101-TT3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TFDU4101-TT3
- Part Number:
- TFDU4101-TT3
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- TXRX IRDA 115.2KBIT 4MM 8-SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 25857 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TFDU4101-TT3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.4V ~ 5.5V |
| standardy: | IrPHY 1.0 |
| Rozmiar: | 9.7mm x 4.7mm x 4.0mm |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Inne nazwy: | 751-1071-1 |
| Orientacja: | Top View |
| temperatura robocza: | -30°C ~ 85°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 4 (72 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 47 Weeks |
| Link Range, Low Power: | 1m |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Prąd bezczynny, Typ @ 25 ° C: | 75µA |
| szczegółowy opis: | 115.2kbs (SIR) IRDA Transceiver Top View |
| Szybkość przesyłania danych: | 115.2kbs (SIR) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TFDU4101-TT3
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen