TE0300-01IBM jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TE0300-01IBM, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TE0300-01IBM przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TE0300-01IBM z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TE0300-01IBM
- Part Number:
- TE0300-01IBM
- Producent:
- Trenz Electronic
- Opis:
- SOM SPARTAN-3E 1600K 666MB DDR
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 36621 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TE0300-01IBM.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Prędkość: | 125MHz |
| Rozmiar / Wymiar: | 1.6" x 1.9" (40.5mm x 47.5mm) |
| Seria: | TE0300 |
| Wielkość pamięci RAM: | 64MB |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C |
| Moduł / Typ Board: | FPGA, USB Core |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Flash Rozmiar: | 4MB |
| szczegółowy opis: | TE0300 Embedded Module Spartan-3E Cypress FX2 USB 2.0 125MHz 64MB 4MB |
| Core Processor: | Spartan-3E |
| Typ złącza: | B2B |
| Koprocesora: | Cypress FX2 USB 2.0 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TE0300-01IBM
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen