TC74LVX174FTELM jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TC74LVX174FTELM, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TC74LVX174FTELM przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TC74LVX174FTELM z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TC74LVX174FTELM
- Part Number:
- TC74LVX174FTELM
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- IC FF D-TYPE SNGL 6BIT 16TSSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 35510 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TC74LVX174FTELM.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2 V ~ 3.6 V |
| Rodzaj: | D-Type |
| Typ wyzwalania: | Positive Edge |
| Seria: | TC74LVX |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Typ wyjścia: | Non-Inverted |
| Inne nazwy: | TC74LVX174FT(EL) TC74LVX174FT(EL,M) TC74LVX174FT(ELM)TR TC74LVX174FT(ELM)TR-ND TC74LVX174FT(SOE) TC74LVX174FT-EL TC74LVX174FTELMTR TC74LVX174FTTR TC74LVX174FTTR-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Ilość elementów: | 1 |
| Ilość bitów na element: | 6 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 12.8ns @ 3.3V, 50pF |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa: | 4pF |
| Funkcjonować: | Master Reset |
| Current - Spoczynkowy (Iq): | 4µA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 4mA, 4mA |
| Częstotliwość zegara: | 95MHz |
| Podstawowy numer części: | 74LVX174 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TC74LVX174FTELM
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia