TC74LCX540FT(EL,M) jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TC74LCX540FT(EL,M), mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TC74LCX540FT(EL,M) przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TC74LCX540FT(EL,M) z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TC74LCX540FT(EL,M)
- Part Number:
- TC74LCX540FT(EL,M)
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- IC BUFFER INVERT 3.6V 20TSSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30261 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TC74LCX540FT(EL,M).pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.65 V ~ 3.6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 20-TSSOP |
| Seria: | TC74LCX |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Typ wyjścia: | 3-State |
| Inne nazwy: | TC74LCX540FT(ELM)TR TC74LCX540FT-ELK TC74LCX540FT-ELK (M TC74LCX540FT-ELK(M TC74LCX540FT-ELKTR TC74LCX540FT-ELKTR-ND TC74LCX540FTELKTR TC74LCX540FTELKTR-ND TC74LCX540FTELM TC74LCX540FTFTR TC74LCX540FTFTR-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Ilość elementów: | 1 |
| Ilość bitów na element: | 8 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Logic Type: | Buffer, Inverting |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | - |
| szczegółowy opis: | Buffer, Inverting 1 Element 8 Bit per Element 3-State Output 20-TSSOP |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 24mA, 24mA |
| Podstawowy numer części: | 74LCX540 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TC74LCX540FT(EL,M)
Latest Aktualności
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash