TC4S11FT5LFT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TC4S11FT5LFT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TC4S11FT5LFT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TC4S11FT5LFT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TC4S11FT5LFT
- Part Number:
- TC4S11FT5LFT
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- IC GATE NAND 1CH 2-INP SMV
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 54816 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TC4S11FT5LFT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 18 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SMV |
| Seria: | TC4S |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SC-74A, SOT-753 |
| Inne nazwy: | TC4S11F(T5L,F,T) TC4S11FT5LFT-ND TC4S11FT5LFTTR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba wejść: | 2 |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 80ns @ 15V, 50pF |
| Logic Type: | NAND Gate |
| Poziom Logic - Niska: | 1.5 V ~ 4 V |
| Poziom Logic - Wysoka: | 3.5 V ~ 11 V |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | NAND Gate IC 1 Channel SMV |
| Obecny - spoczynkowy (Max): | 1µA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 3.4mA, 3.4mA |
| Podstawowy numer części: | 4S11 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TC4S11FT5LFT
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia