TB8S-G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TB8S-G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TB8S-G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TB8S-G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TB8S-G
- Part Number:
- TB8S-G
- Producent:
- Comchip Technology
- Opis:
- DIODE BRIDGE GPP 0.8A 800V TBS
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 35465 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TB8S-G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | 800V |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 950mV @ 400mA |
| Technologia: | Standard |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 4-TBS |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 4-SMD, Gull Wing |
| Inne nazwy: | 641-1965-1 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Single Phase |
| szczegółowy opis: | Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Surface Mount 4-TBS |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 10µA @ 800V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 800mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TB8S-G
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia