TB6575FNG,C,8,EL jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TB6575FNG,C,8,EL, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TB6575FNG,C,8,EL przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TB6575FNG,C,8,EL z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TB6575FNG,C,8,EL
- Part Number:
- TB6575FNG,C,8,EL
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- IC MOTOR CONTROLLER PAR 24SSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 34406 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TB6575FNG,C,8,EL.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Napięcie - Obciążenie: | - |
| Technologia: | CMOS |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 24-SSOP |
| Krok Rozdzielczość: | - |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width) |
| Konfiguracja wyjściowa: | Pre-Driver - Half Bridge (3) |
| Inne nazwy: | TB6575FNG(O,C,8,EL TB6575FNG(O,C8,EL) TB6575FNG(O,EL) TB6575FNG(OC8EL)TR TB6575FNG(OC8EL)TR-ND TB6575FNG(OC8ELTR TB6575FNG(OC8ELTR-ND TB6575FNGC8ELTR TB6575FNGTR TB6575FNGTR-ND |
| temperatura robocza: | -30°C ~ 105°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Typ silnika - stepper: | - |
| Typ silnika - AC, DC: | Brushless DC (BLDC) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | Parallel |
| Funkcjonować: | Controller - Commutation, Direction Management |
| szczegółowy opis: | Motor Driver CMOS Parallel 24-SSOP |
| Obecny - Wyjście: | - |
| Podstawowy numer części: | TB6575 |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TB6575FNG,C,8,EL
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia