T55A475M010C0500 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla T55A475M010C0500, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla T55A475M010C0500 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup T55A475M010C0500 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
T55A475M010C0500
- Part Number:
- T55A475M010C0500
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- CAP TANT POLY 4.7UF 10V 1206
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 33108 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 10V |
| Rodzaj: | Molded |
| Tolerancja: | ±20% |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Seria: | vPolyTan™ T55 |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 1206 (3216 Metric) |
| Inne nazwy: | 718-2008-1 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Producent Kod rozmiaru: | A |
| Żywotność @ Temp.: | - |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.071" (1.80mm) |
| cechy: | General Purpose |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 500 mOhm |
| szczegółowy opis: | 4.7µF Molded Tantalum Polymer Capacitor 10V 1206 (3216 Metric) 500 mOhm |
| Pojemność: | 4.7µF |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do T55A475M010C0500
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił