T540B157K003BH8610 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla T540B157K003BH8610, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla T540B157K003BH8610 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup T540B157K003BH8610 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
T540B157K003BH8610
- Part Number:
- T540B157K003BH8610
- Producent:
- KEMET
- Opis:
- CAP TANT POLY 150UF 3V 1411
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 24823 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- T540B157K003BH8610.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 3V |
| Rodzaj: | Molded |
| Tolerancja: | ±10% |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) |
| Seria: | KO-CAP® T540 |
| oceny: | COTS |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 1411 (3528 Metric) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Producent Kod rozmiaru: | B |
| Żywotność @ Temp.: | 2000 Hrs @ 125°C |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.083" (2.10mm) |
| cechy: | High Reliability |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 80 mOhm @ 100kHz |
| szczegółowy opis: | 150µF Molded Tantalum Polymer Capacitor 3V 1411 (3528 Metric) 80 mOhm @ 100kHz |
| Pojemność: | 150µF |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do T540B157K003BH8610
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen