T1235T-8G-TR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla T1235T-8G-TR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla T1235T-8G-TR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup T1235T-8G-TR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
T1235T-8G-TR
- Part Number:
- T1235T-8G-TR
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- THYRISTORS (SCR) AND AC SWITCHES
- Wielkość zbiorów:
- 51781 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- T1235T-8G-TR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Stan Wyłączony: | 800V |
| Napięcie - Brama wyzwalania (VGT) (maks): | 1.3V |
| triaka: | Alternistor - Snubberless |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | D2PAK |
| Seria: | Snubberless™ |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Inne nazwy: | 497-18028-2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 31 Weeks |
| szczegółowy opis: | TRIAC Alternistor - Snubberless 800V 12A Surface Mount D2PAK |
| Obecny - Na członkowskim (IT (RMS)) (max): | 12A |
| Obecny -. Non Rep Surge 50, 60Hz (ITSM): | 95A, 90A |
| Obecny - trzymaj (Ih) (maks): | 40mA |
| Obecny - Brama wyzwalania (IGT) (maks): | 35mA |
| Konfiguracja: | Single |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do T1235T-8G-TR
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia