STPSC5H12B-TR1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla STPSC5H12B-TR1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla STPSC5H12B-TR1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup STPSC5H12B-TR1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
STPSC5H12B-TR1
- Part Number:
- STPSC5H12B-TR1
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK
- Wielkość zbiorów:
- 31613 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.5V @ 5A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 1200V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DPAK |
| Prędkość: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Seria: | ECOPACK® |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 0ns |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Inne nazwy: | 497-17249-1 |
| Temperatura pracy - złącze: | -40°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ diody: | Silicon Carbide Schottky |
| szczegółowy opis: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 5A Surface Mount DPAK |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 30µA @ 1200V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 5A |
| Pojemność @ VR F: | 450pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do STPSC5H12B-TR1
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny