STPSC4H065DI jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla STPSC4H065DI, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla STPSC4H065DI przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup STPSC4H065DI z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
STPSC4H065DI
- Part Number:
- STPSC4H065DI
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 53910 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.STPSC4H065DI.pdf2.STPSC4H065DI.pdf3.STPSC4H065DI.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.75V @ 4A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 650V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220AC ins |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-2 Insulated, TO-220AC |
| Inne nazwy: | 497-14575-5 STPSC4H065DI-ND |
| Temperatura pracy - złącze: | -40°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Schottky |
| szczegółowy opis: | Diode Schottky 650V 4A Through Hole TO-220AC ins |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 40µA @ 650V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 4A |
| Pojemność @ VR F: | - |
| Podstawowy numer części: | STPSC4H065 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do STPSC4H065DI
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash