STK12C68-C35I jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla STK12C68-C35I, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla STK12C68-C35I przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup STK12C68-C35I z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
STK12C68-C35I
- Part Number:
- STK12C68-C35I
- Producent:
- Cypress Semiconductor
- Opis:
- IC NVSRAM 64K PARALLEL 28CDIP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 31319 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- STK12C68-C35I.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 35ns |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Technologia: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 28-CDIP |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 28-CDIP (0.300", 7.62mm) |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 64Kb (8K x 8) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | NVSRAM |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 35ns 28-CDIP |
| Podstawowy numer części: | STK12C68 |
| Czas dostępu: | 35ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do STK12C68-C35I
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?