SS2FN6HM3/I jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SS2FN6HM3/I, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SS2FN6HM3/I przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SS2FN6HM3/I z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SS2FN6HM3/I
- Part Number:
- SS2FN6HM3/I
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO219AB
- Wielkość zbiorów:
- 47832 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SS2FN6HM3/I.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 600mV @ 2A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 60V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DO-219AB (SMF) |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | DO-219AB |
| Temperatura pracy - złącze: | -55°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Typ diody: | Schottky |
| szczegółowy opis: | Diode Schottky 60V 2A Surface Mount DO-219AB (SMF) |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 900µA @ 60V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 2A |
| Pojemność @ VR F: | 100pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SS2FN6HM3/I
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego