SRN4018-331M jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SRN4018-331M, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SRN4018-331M przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SRN4018-331M z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SRN4018-331M
- Part Number:
- SRN4018-331M
- Producent:
- Bourns, Inc.
- Opis:
- FIXED IND 330UH 200MA 6.36 OHM
- Wielkość zbiorów:
- 21081 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SRN4018-331M.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±20% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.157" L x 0.157" W (4.00mm x 4.00mm) |
| Zastawianie: | Semi-Shielded |
| Seria: | SRN4018 |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | 30 @ 796kHz |
| Package / Case: | Nonstandard |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Materiał - Rdzeń: | Ferrite |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 100kHz |
| Indukcyjność: | 330µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.071" (1.80mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 6MHz |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | 330µH Semi-Shielded Wirewound Inductor 200mA 6.36 Ohm Max Nonstandard |
| DC Resistance (DCR): | 6.36 Ohm Max |
| Aktualna ocena: | 200mA |
| Obecny - Nasycenie: | 210mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SRN4018-331M
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen