SRF1260-2R2Y jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SRF1260-2R2Y, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SRF1260-2R2Y przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SRF1260-2R2Y z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SRF1260-2R2Y
- Part Number:
- SRF1260-2R2Y
- Producent:
- Bourns, Inc.
- Opis:
- INDUCT ARRAY 2 COIL 2.2UH SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 42763 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SRF1260-2R2Y.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±30% |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
| Zastawianie: | Shielded |
| Seria: | SRF1260 |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | Nonstandard |
| Inne nazwy: | SRF1260-2R2YTR SRF12602R2Y |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba zwojów: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Indukcyjność - połączone szeregowo: | 8.8µH |
| Indukcyjność - połączone równolegle: | 2.2µH |
| Wysokość: | 0.244" (6.20mm) |
| szczegółowy opis: | Shielded 2 Coil Inductor Array 8.8µH Inductance - Connected in Series 2.2µH Inductance - Connected in Parallel 8.5 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 10.9A Nonstandard |
| Oporność DC (DCR) - Seria: | 33.3 mOhm Max |
| Opór DC (DCR) - równoległy: | 8.5 mOhm Max |
| Aktualne nasycenie - serie: | 7.5A |
| Obecne nasycenie - równolegle: | 15A |
| Current Rating - Seria: | 5.46A |
| Współczynnik natężenia prądu - równoległy: | 10.9A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SRF1260-2R2Y
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia