SQ1464EEH-T1_GE3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SQ1464EEH-T1_GE3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SQ1464EEH-T1_GE3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SQ1464EEH-T1_GE3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SQ1464EEH-T1_GE3
- Part Number:
- SQ1464EEH-T1_GE3
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- MOSFET N-CHAN 60V SC-70
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 35812 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SQ1464EEH-T1_GE3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (maks.): | ±8V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SC-70-6 |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 1.41 Ohm @ 2A, 1.5V |
| Strata mocy (max): | 430mW (Tc) |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Inne nazwy: | SQ1464EEH-T1_GE3CT |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 140pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 4.1nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 60V |
| szczegółowy opis: | N-Channel 60V 440mA (Tc) 430mW (Tc) Surface Mount SC-70-6 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 440mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SQ1464EEH-T1_GE3
Latest Aktualności
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED