SPC58EC80E1Q0C0Y jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SPC58EC80E1Q0C0Y, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SPC58EC80E1Q0C0Y przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SPC58EC80E1Q0C0Y z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SPC58EC80E1Q0C0Y
- Part Number:
- SPC58EC80E1Q0C0Y
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- TQFP 64 10X10X1.0 1.
- Wielkość zbiorów:
- 38750 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.SPC58EC80E1Q0C0Y.pdf2.SPC58EC80E1Q0C0Y.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 3.3V, 5V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 64-QFP (10x10) |
| Prędkość: | 180MHz |
| Seria: | SPC58 C-Line |
| Wielkość pamięci RAM: | 512K x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH |
| Rozmiar pamięci programu: | 4MB (4M x 8) |
| Peryferia: | DMA |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 64-TQFP |
| Inne nazwy: | 497-18176 SPC58EC80E1Q0C0Y-ND |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba I / O: | 48 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 50 Weeks |
| Rozmiar EEPROM: | 128K x 8 |
| szczegółowy opis: | e200z4d SPC58 C-Line Microcontroller IC 32-Bit Dual-Core 180MHz 4MB (4M x 8) FLASH 64-QFP (10x10) |
| rdzeń Rozmiar: | 32-Bit Dual-Core |
| Core Processor: | e200z4d |
| Łączność: | CANbus, I²C, LINbus, SPI |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SPC58EC80E1Q0C0Y
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny