SPC5777MK0MVA8R jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SPC5777MK0MVA8R, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SPC5777MK0MVA8R przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SPC5777MK0MVA8R z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SPC5777MK0MVA8R
- Part Number:
- SPC5777MK0MVA8R
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- NXP 32-BIT MCU QUAD POWER ARCH
- Wielkość zbiorów:
- 31663 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SPC5777MK0MVA8R.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 3 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 512-TEPBGA (25x25) |
| Prędkość: | 300MHz |
| Seria: | MPC57xx |
| Wielkość pamięci RAM: | 404K x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH |
| Rozmiar pamięci programu: | 8.64MB (8M x 8) |
| Peryferia: | DMA, LVD, POR, Zipwire |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 512-FBGA |
| Inne nazwy: | 935315463518 |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | e200z7 MPC57xx Microcontroller IC 32-Bit Tri-Core 300MHz 8.64MB (8M x 8) FLASH 512-TEPBGA (25x25) |
| Konwertery danych: | A/D 12b SAR, 16b Sigma-Delta |
| rdzeń Rozmiar: | 32-Bit Tri-Core |
| Core Processor: | e200z7 |
| Łączność: | CANbus, EBI/EMI, Ethernet, FlexRAY, I²C, LINbus, SPI, PSI, UART/USART |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SPC5777MK0MVA8R
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny