SPC5748GGK1MMJ6R jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SPC5748GGK1MMJ6R, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SPC5748GGK1MMJ6R przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SPC5748GGK1MMJ6R z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SPC5748GGK1MMJ6R
- Part Number:
- SPC5748GGK1MMJ6R
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC MCU 32BIT 6MB FLASH 256MAPBGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 43912 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SPC5748GGK1MMJ6R.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 3 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 256-MAPPBGA (17x17) |
| Prędkość: | 80MHz/160MHz |
| Seria: | MPC57xx |
| Wielkość pamięci RAM: | 768K x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH |
| Rozmiar pamięci programu: | 6MB (6M x 8) |
| Peryferia: | DMA, LVD, POR, WDT |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 256-LBGA |
| Inne nazwy: | 935316302518 |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Liczba I / O: | 178 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | e200z2, e200z4, e200z4 MPC57xx Microcontroller IC 32-Bit Tri-Core 80MHz/160MHz 6MB (6M x 8) FLASH 256-MAPPBGA (17x17) |
| Konwertery danych: | A/D 80x10b, 64x12b |
| rdzeń Rozmiar: | 32-Bit Tri-Core |
| Core Processor: | e200z2, e200z4, e200z4 |
| Łączność: | CANbus, Ethernet, I²C, LINbus, SAI, SPI, USB, USB OTG |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SPC5748GGK1MMJ6R
Latest Aktualności
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash