SN74LV1T125DBVRG4 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SN74LV1T125DBVRG4, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SN74LV1T125DBVRG4 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SN74LV1T125DBVRG4 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SN74LV1T125DBVRG4
- Part Number:
- SN74LV1T125DBVRG4
- Producent:
- TI
- Opis:
- SINGLE BUS BUFFER GATE 3-STATE O
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57505 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SN74LV1T125DBVRG4.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.6 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-23-5 |
| Seria: | 74LV |
| Package / Case: | SC-74A, SOT-753 |
| Typ wyjścia: | 3-State |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Ilość elementów: | 1 |
| Ilość bitów na element: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Logic Type: | Buffer, Non-Inverting |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | - |
| szczegółowy opis: | Buffer, Non-Inverting 1 Element 1 Bit per Element 3-State Output SOT-23-5 |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 8mA, 8mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SN74LV1T125DBVRG4
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS