SN74LV10ADBR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SN74LV10ADBR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SN74LV10ADBR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SN74LV10ADBR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SN74LV10ADBR
- Part Number:
- SN74LV10ADBR
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC GATE NAND 3CH 3-INP 14SSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 25055 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SN74LV10ADBR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 14-SSOP |
| Seria: | 74LV |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 14-SSOP (0.209", 5.30mm Width) |
| Inne nazwy: | 296-3772-2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba wejść: | 3 |
| Liczba obwodów: | 3 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 7.9ns @ 5V, 50pF |
| Logic Type: | NAND Gate |
| Poziom Logic - Niska: | 0.5V |
| Poziom Logic - Wysoka: | 1.5V |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | NAND Gate IC 3 Channel 14-SSOP |
| Obecny - spoczynkowy (Max): | 20µA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 12mA, 12mA |
| Podstawowy numer części: | 74LV10 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SN74LV10ADBR
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen