SN74AUP2G00DCUR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SN74AUP2G00DCUR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SN74AUP2G00DCUR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SN74AUP2G00DCUR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SN74AUP2G00DCUR
- Part Number:
- SN74AUP2G00DCUR
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC GATE NAND 2CH 2-INP US8
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 41621 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SN74AUP2G00DCUR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 0.8 V ~ 3.6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | US8 |
| Seria: | 74AUP |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width) |
| Inne nazwy: | 296-36884-1 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba wejść: | 2 |
| Liczba obwodów: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 6.7ns @ 3.3V, 30pF |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Logic Type: | NAND Gate |
| Poziom Logic - Niska: | 0.7 V ~ 0.9 V |
| Poziom Logic - Wysoka: | 1.6 V ~ 2 V |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | NAND Gate IC 2 Channel US8 |
| Obecny - spoczynkowy (Max): | 500nA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 4mA, 4mA |
| Podstawowy numer części: | 74AUP2G00 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SN74AUP2G00DCUR
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego