SN74AS4374BDW jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SN74AS4374BDW, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SN74AS4374BDW przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SN74AS4374BDW z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SN74AS4374BDW
- Part Number:
- SN74AS4374BDW
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 48018 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SN74AS4374BDW.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Rodzaj: | D-Type |
| Typ wyzwalania: | Positive Edge |
| Seria: | 74AS |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Typ wyjścia: | Tri-State, Non-Inverted |
| Inne nazwy: | 296-6358-5 |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Ilość elementów: | 1 |
| Ilość bitów na element: | 8 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 8ns @ 5V, 50pF |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkcjonować: | Standard |
| Current - Spoczynkowy (Iq): | 150mA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 15mA, 48mA |
| Częstotliwość zegara: | 125MHz |
| Podstawowy numer części: | 74AS4374 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SN74AS4374BDW
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?