SN74AHCT367NG4 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SN74AHCT367NG4, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SN74AHCT367NG4 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SN74AHCT367NG4 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SN74AHCT367NG4
- Part Number:
- SN74AHCT367NG4
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC BUF NON-INVERT 5.5V 16DIP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 20370 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SN74AHCT367NG4.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-PDIP |
| Seria: | 74AHCT |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Typ wyjścia: | 3-State |
| Inne nazwy: | SN74AHCT367NE4 SN74AHCT367NE4-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Ilość elementów: | 2 |
| Ilość bitów na element: | 2, 4 (Hex) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Logic Type: | Buffer, Non-Inverting |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | - |
| szczegółowy opis: | Buffer, Non-Inverting 2 Element 2, 4 (Hex) Bit per Element 3-State Output 16-PDIP |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 8mA, 8mA |
| Podstawowy numer części: | 74AHCT367 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SN74AHCT367NG4
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia