SN55HVD251DRJR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SN55HVD251DRJR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SN55HVD251DRJR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SN55HVD251DRJR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SN55HVD251DRJR
- Part Number:
- SN55HVD251DRJR
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC TXRX CAN 5V 8SON
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 39183 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SN55HVD251DRJR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Rodzaj: | Transceiver |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SON (4x4) |
| Seria: | - |
| Protokół: | CANbus |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 8-WDFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 296-27215-1 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba kierowców / odbiorników: | 1/1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Dupleks: | Full |
| szczegółowy opis: | 1/1 Transceiver Full CANbus 8-SON (4x4) |
| Szybkość przesyłania danych: | - |
| Podstawowy numer części: | SN55HVD251 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SN55HVD251DRJR
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC