SN54HC273VTDG2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SN54HC273VTDG2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SN54HC273VTDG2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SN54HC273VTDG2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SN54HC273VTDG2
- Part Number:
- SN54HC273VTDG2
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC GATE AND 4CH 2-INP DIE
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 54407 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SN54HC273VTDG2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2 V ~ 6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Die |
| Seria: | 54HC |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | Die |
| temperatura robocza: | - |
| Liczba wejść: | 2 |
| Liczba obwodów: | 4 |
| Rodzaj mocowania: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | - |
| Logic Type: | AND Gate |
| Poziom Logic - Niska: | - |
| Poziom Logic - Wysoka: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | AND Gate IC 4 Channel Die |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 5.2mA, 5.2mA |
| Podstawowy numer części: | 54HC273 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SN54HC273VTDG2
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC