SM-5R1000FE6 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SM-5R1000FE6, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SM-5R1000FE6 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SM-5R1000FE6 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SM-5R1000FE6
- Part Number:
- SM-5R1000FE6
- Producent:
- Dale / Vishay
- Opis:
- RES 0.1 OHM 1% 4W
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 51544 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SM-5R1000FE6.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±1% |
| Współczynnik temperaturowy: | - |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SM-5 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.820" L x 0.295" W (20.83mm x 7.49mm) |
| Seria: | SM |
| Tryb panel: | 100 mOhms |
| Moc (W): | 4W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8230 J-Lead |
| Inne nazwy: | 541-2686-2 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 275°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.305" (7.75mm) |
| cechy: | - |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 100 mOhms ±1% 4W Chip Resistor 8230 J-Lead Wirewound |
| Kompozycja: | Wirewound |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SM-5R1000FE6
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen