SLE 55R04 P-MCC2-2-1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SLE 55R04 P-MCC2-2-1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SLE 55R04 P-MCC2-2-1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SLE 55R04 P-MCC2-2-1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SLE 55R04 P-MCC2-2-1
- Part Number:
- SLE 55R04 P-MCC2-2-1
- Opis:
- IC EEPROM 770BYTE MCC2-2
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 29840 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SLE 55R04 P-MCC2-2-1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | M2.2 Chip Card Module |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | M2.2 Chip Card Module |
| Inne nazwy: | SLE 55R04 P-MCC2-2-1-ND SLE55R04P-MCC2-2-1 SLE55R04PMCC221 SP000008802 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Podstawowy numer części: | SLE55R04 |
| Aplikacje: | Security |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SLE 55R04 P-MCC2-2-1
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia