SJ6010VS2TP jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SJ6010VS2TP, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SJ6010VS2TP przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SJ6010VS2TP z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SJ6010VS2TP
- Part Number:
- SJ6010VS2TP
- Producent:
- Hamlin / Littelfuse
- Opis:
- SEN SCR 600V 10A 200A TO251
- Wielkość zbiorów:
- 43860 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SJ6010VS2TP.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Na członkowskim (VTM) (max): | 1.6V |
| Napięcie - Stan Wyłączony: | 600V |
| Napięcie - Brama wyzwalania (VGT) (maks): | 800mV |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-251AA |
| Seria: | SJ |
| Rodzaj SCR: | Sensitive Gate |
| Package / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 19 Weeks |
| szczegółowy opis: | SCR 600V 10A Sensitive Gate Through Hole TO-251AA |
| Obecny - Na członkowskim (IT (RMS)) (max): | 10A |
| Obecny - Na członkowskim (It (AV)) (Max): | 6.4A |
| Obecny - Off State (max): | 5µA |
| Obecny -. Non Rep Surge 50, 60Hz (ITSM): | 83A, 100A |
| Obecny - trzymaj (Ih) (maks): | 6mA |
| Obecny - Brama wyzwalania (IGT) (maks): | 200µA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SJ6010VS2TP
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia