SIT8009BCR11-28E jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SIT8009BCR11-28E, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SIT8009BCR11-28E przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SIT8009BCR11-28E z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SIT8009BCR11-28E
- Part Number:
- SIT8009BCR11-28E
- Producent:
- SiTime
- Opis:
- OSC PROG LVCMOS 2.52-3.08V EN/DS
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 24742 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SIT8009BCR11-28E.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.52 V ~ 3.08 V |
| Rodzaj: | XO (Standard) |
| Spread Spectrum Bandwidth: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Seria: | SiT8009B |
| oceny: | - |
| Programowalny Rodzaj: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| Package / Case: | 4-SMD, No Lead |
| Wydajność: | HCMOS, LVCMOS |
| temperatura robocza: | -20°C ~ 70°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość: | 0.032" (0.80mm) |
| Funkcjonować: | Enable/Disable |
| Stabilność częstotliwości (ogółem): | ±20ppm |
| Stabilność częstotliwości: | ±20ppm |
| szczegółowy opis: | XO (Standard) HCMOS, LVCMOS 115MHz ~ 137MHz Programmable Oscillator 2.52 V ~ 3.08 V Enable/Disable 4-SMD, No Lead |
| Obecny - Dostawa (Max): | 7.5mA |
| Obecny - Dostawa (Wyłącz) (maks): | 4.2mA |
| Rezonator bazowy: | MEMS |
| Dostępne Zakres częstotliwości: | 115MHz ~ 137MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SIT8009BCR11-28E
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?