SIT3808AI-C-33NE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SIT3808AI-C-33NE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SIT3808AI-C-33NE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SIT3808AI-C-33NE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SIT3808AI-C-33NE
- Part Number:
- SIT3808AI-C-33NE
- Producent:
- SiTime
- Opis:
- OSC PROG LVCMOS 3.3V 10PPM SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 56873 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.SIT3808AI-C-33NE.pdf2.SIT3808AI-C-33NE.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | MEMS VCXO |
| Spread Spectrum Bandwidth: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) |
| Shell Style: | 3.3V |
| Seria: | SiT3808 |
| Stan RoHS: | Bulk |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | 6-SMD, No Lead |
| Wydajność: | - |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | SIT3808AI-C-33NE |
| Wysokość: | 0.031" (0.79mm) |
| częstotliwość Tolerancja: | ±10ppm |
| Stabilność częstotliwości (ogółem): | 1MHz ~ 80MHz |
| Częstotliwość - Wyjście 1: | - |
| Częstotliwość - Centrum: | - |
| Rozszerzony opis: | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 33mA |
| Opis: | OSC PROG LVCMOS 3.3V 10PPM SMD |
| Obecny - Dostawa (Max): | LVCMOS, LVTTL |
| Obecny - Dostawa (Wyłącz) (maks): | 33mA |
| Dostępne Zakres częstotliwości: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SIT3808AI-C-33NE
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025