Το SIT3808AI-C-33NE είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την SIT3808AI-C-33NE, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το SIT3808AI-C-33NE μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε SIT3808AI-C-33NE με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
SIT3808AI-C-33NE
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SIT3808AI-C-33NE
- Κατασκευαστής:
- SiTime
- Περιγραφή:
- OSC PROG LVCMOS 3.3V 10PPM SMD
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 56873 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.SIT3808AI-C-33NE.pdf2.SIT3808AI-C-33NE.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τύπος: | MEMS VCXO |
| Spread Spectrum Bandwidth: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) |
| Shell Style: | 3.3V |
| Σειρά: | SiT3808 |
| Κατάσταση RoHS: | Bulk |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Πόλωση: | 6-SMD, No Lead |
| Παραγωγή: | - |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | SIT3808AI-C-33NE |
| Ύψος: | 0.031" (0.79mm) |
| Ανοχή συχνότητας: | ±10ppm |
| Σταθερότητα Συχνότητας (Σύνολο): | 1MHz ~ 80MHz |
| Συχνότητα - Υλοποίηση 1: | - |
| Συχνότητα - Κέντρο: | - |
| Διευρυμένη περιγραφή: | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 33mA |
| Περιγραφή: | OSC PROG LVCMOS 3.3V 10PPM SMD |
| Τρέχουσες - Προμήθεια (Max): | LVCMOS, LVTTL |
| Τρέχουσες - Προμήθεια (Απενεργοποίηση) (Max): | 33mA |
| Διαθέσιμο φάσμα συχνοτήτων: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για SIT3808AI-C-33NE
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
SIT3808AI-C-33SG | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V STBY 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3808AI-C-33EZ | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3808AI-C-33EX | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3808AI-C-33NX | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V 10PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT3808AI-C-33EB | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3808AI-C-33NZ | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V 10PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT3808AI-C-33EE | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3808AI-C-33NM | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V 10PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT3808AI-C-33EG | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3808AI-C-33EH | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3808AI-C-33EY | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3808AI-C-33NY | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V 10PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT3808AI-C-33SE | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V STBY 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3808AI-C-28SZ | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 2.8V STBY 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3808AI-C-33SH | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V STBY 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3808AI-C-33EM | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3808AI-C-33NB | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V 10PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT3808AI-C-33SB | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V STBY 10PPM | Έρευνα |
|
SIT3808AI-C-33NG | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V 10PPM SMD | Έρευνα |
|
SIT3808AI-C-33NH | SiTIME | OSC PROG LVCMOS 3.3V 10PPM SMD | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό
- Κάτω από την έξοδο AI Air, οι δύο μεγάλοι γίγαντες τσιπ είναι "όχι ισχυρο