SIM3C154-B-GM jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SIM3C154-B-GM, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SIM3C154-B-GM przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SIM3C154-B-GM z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SIM3C154-B-GM
- Part Number:
- SIM3C154-B-GM
- Producent:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Opis:
- IC MCU 32BIT 128KB FLASH 40QFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 50225 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 1.8 V ~ 3.6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 40-QFN (6x6) |
| Prędkość: | 80MHz |
| Seria: | SiM3C1xx |
| Wielkość pamięci RAM: | 32K x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH |
| Rozmiar pamięci programu: | 128KB (128K x 8) |
| Peryferia: | Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, PWM, WDT |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 40-VFQFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 336-2224 SIM3C154BGM |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Liczba I / O: | 28 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | ARM® Cortex®-M3 SiM3C1xx Microcontroller IC 32-Bit 80MHz 128KB (128K x 8) FLASH 40-QFN (6x6) |
| Konwertery danych: | A/D 18x12b, D/A 2x10b |
| rdzeń Rozmiar: | 32-Bit |
| Core Processor: | ARM® Cortex®-M3 |
| Łączność: | I²C, IrDA, SmartCard, SPI, UART/USART |
| Podstawowy numer części: | SIM3C1 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SIM3C154-B-GM
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS