SID1182K jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SID1182K, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SID1182K przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SID1182K z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SID1182K
- Part Number:
- SID1182K
- Producent:
- Power Integrations
- Opis:
- DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 42207 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SID1182K.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Napięcie - Izolacja: | 5000Vrms |
| Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ): | - |
| Technologia: | Magnetic Coupling |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | eSOP-R16B |
| Seria: | SCALE-iDriver™ |
| Czas narastania / spadku (typ): | 90ns, 81ns |
| Zniekształcenia szerokości impulsu (maks.): | - |
| Opóźnienie propagacji tpLH / tpHL (maks.): | 340ns, 330ns |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads |
| Inne nazwy: | 1810-1071 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba kanałów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | 8A Gate Driver Magnetic Coupling 5000Vrms 1 Channel eSOP-R16B |
| Obecny - Szczytowa wydajność: | 8A |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 3.6A, 4A |
| Współczynnik przejściowy (min): | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SID1182K
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen