SI8605AD-B-ISR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SI8605AD-B-ISR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SI8605AD-B-ISR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SI8605AD-B-ISR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SI8605AD-B-ISR
- Part Number:
- SI8605AD-B-ISR
- Producent:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Opis:
- DGTL ISOLATOR 5KV 4CH I2C 16SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 23063 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SI8605AD-B-ISR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 5.5 V |
| Napięcie - Izolacja: | 5000Vrms |
| Rodzaj: | I²C |
| Technologia: | Capacitive Coupling |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-SOIC |
| Seria: | - |
| Czas narastania / spadku (typ): | - |
| Zniekształcenia szerokości impulsu (maks.): | - |
| Opóźnienie propagacji tpLH / tpHL (maks.): | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Inne nazwy: | 336-4928-2 SI8605AD-B-ISR-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba kanałów: | 4 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2A (4 Weeks) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojedyncze Moc: | No |
| Wejścia - Side 1 / Side 2: | 3/3 |
| szczegółowy opis: | I²C Digital Isolator 5000Vrms 4 Channel 35kV/µs CMTI 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Szybkość przesyłania danych: | - |
| Współczynnik przejściowy (min): | 35kV/µs |
| Baza-emiter Napięcie nasycenia (Max): | Bidirectional, Unidirectional |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SI8605AD-B-ISR
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia