SDR0703-330KL jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SDR0703-330KL, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SDR0703-330KL przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SDR0703-330KL z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SDR0703-330KL
- Part Number:
- SDR0703-330KL
- Producent:
- Bourns, Inc.
- Opis:
- FIXED IND 33UH 560MA 450 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 58894 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SDR0703-330KL.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | - |
| Stosowanie: | Unshielded |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.256" L x 0.177" W (6.50mm x 4.50mm) |
| Seria: | SDR0703 |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Nonstandard |
| Inne nazwy: | SDR0703-330KL-ND SDR0703330KL |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Numer części producenta: | SDR0703-330KL |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.106" (2.70mm) |
| typ sprzętu: | 33µH |
| Częstotliwość - Test: | 20MHz |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 450 mOhm Max |
| Rozszerzony opis: | 33µH Unshielded Wirewound Inductor 560mA 450 mOhm Max Nonstandard |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±10% |
| Średnica - ramię: | 17 @ 2.52MHz |
| Opis: | FIXED IND 33UH 560MA 450 MOHM |
| Czas zwłoki: | 100kHz |
| DC Resistance (DCR): | 820mA |
| Aktualna ocena: | 560mA |
| Obecny - Nasycenie: | Ferrite |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SDR0703-330KL
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia