SBRT60U100CT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SBRT60U100CT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SBRT60U100CT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SBRT60U100CT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SBRT60U100CT
- Part Number:
- SBRT60U100CT
- Producent:
- Diodes Incorporated
- Opis:
- DIODE SBR 100V 40A POWERDI5
- Status bezołowiowy:
- Zawiera RoHS / RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 47695 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SBRT60U100CT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 780mV @ 30A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 100V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220AB |
| Prędkość: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101 |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Temperatura pracy - złącze: | -55°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Super Barrier |
| Diode Configuration: | 1 Pair Common Cathode |
| szczegółowy opis: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Super Barrier 100V 30A Through Hole TO-220-3 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 300µA @ 100V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 30A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SBRT60U100CT
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego