SBR12U45LH1-13 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SBR12U45LH1-13, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SBR12U45LH1-13 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SBR12U45LH1-13 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SBR12U45LH1-13
- Part Number:
- SBR12U45LH1-13
- Producent:
- Diodes Incorporated
- Opis:
- DIODE SBR 45V 12A POWERDI5SP
- Status bezołowiowy:
- Zawiera RoHS / RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 25924 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SBR12U45LH1-13.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 500mV @ 12A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 45V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PowerDI5SP™ |
| Prędkość: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Seria: | SBR® |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | PowerDI™ 5SP |
| Inne nazwy: | SBR12U45LH1-13DI SBR12U45LH1-13DI-ND SBR12U45LH1-13DITR |
| Temperatura pracy - złącze: | -65°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Super Barrier |
| szczegółowy opis: | Diode Super Barrier 45V 12A Surface Mount PowerDI5SP™ |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 300µA @ 45V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 12A |
| Pojemność @ VR F: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SBR12U45LH1-13
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił