SBR10U100CTFP jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SBR10U100CTFP, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SBR10U100CTFP przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SBR10U100CTFP z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SBR10U100CTFP
- Part Number:
- SBR10U100CTFP
- Producent:
- Diodes Incorporated
- Opis:
- DIODE ARRAY SBR 100V 5A ITO220AB
- Status bezołowiowy:
- Zawiera RoHS / RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 26171 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SBR10U100CTFP.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 670mV @ 5A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 100V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | ITO-220AB |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | SBR® |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Inne nazwy: | SBR10U100CTFPDI |
| Temperatura pracy - złącze: | -65°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Super Barrier |
| Diode Configuration: | 1 Pair Common Cathode |
| szczegółowy opis: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Super Barrier 100V 5A Through Hole TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 200µA @ 100V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 5A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SBR10U100CTFP
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił