SB28B0121AT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SB28B0121AT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SB28B0121AT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SB28B0121AT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SB28B0121AT
- Part Number:
- SB28B0121AT
- Producent:
- Leader Tech Inc.
- Opis:
- FERRITE 35OHM HINGED 25.70MM
- Wielkość zbiorów:
- 55093 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SB28B0121AT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Flat |
| Seria: | - |
| oceny: | - |
| Wymiar zewnętrzny: | 0.500" W x 0.130" H (12.70mm x 3.30mm) |
| Rodzaj mocowania: | Free Hanging |
| Materiał: | 28 |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 4 Weeks |
| Długość: | 0.500" (12.70mm) |
| Wymiar wewnętrzny: | 1.012" Dia (25.70mm) |
| Impedancja @ Częstotliwość: | 35 Ohm @ 100MHz |
| szczegółowy opis: | Hinged (Snap On) Free Hanging Ferrite Core 35 Ohm @ 100MHz ID 1.012" Dia (25.70mm) OD 0.500" W x 0.130" H (12.70mm x 3.30mm) Length 0.500" (12.70mm) |
| Projekt: | Hinged (Snap On) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SB28B0121AT
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen