SB250S-E3/54 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SB250S-E3/54, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SB250S-E3/54 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SB250S-E3/54 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SB250S-E3/54
- Part Number:
- SB250S-E3/54
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 50V 2A DO204AL
- Wielkość zbiorów:
- 22327 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SB250S-E3/54.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 700mV @ 2A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 50V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DO-204AL (DO-41) |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | - |
| Package / Case: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Temperatura pracy - złącze: | -65°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 38 Weeks |
| Typ diody: | Schottky |
| szczegółowy opis: | Diode Schottky 50V 2A Through Hole DO-204AL (DO-41) |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 500µA @ 50V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 2A |
| Pojemność @ VR F: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SB250S-E3/54
Latest Aktualności
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED