SAK-XC2365B-40F80L jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SAK-XC2365B-40F80L, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SAK-XC2365B-40F80L przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SAK-XC2365B-40F80L z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SAK-XC2365B-40F80L
- Part Number:
- SAK-XC2365B-40F80L
- Opis:
- IC MCU 16BIT 320KB FLASH 100LQFP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 40005 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.SAK-XC2365B-40F80L.pdf2.SAK-XC2365B-40F80L.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 3 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PG-LQFP-100-8 |
| Prędkość: | 80MHz |
| Seria: | XC23xxB |
| Wielkość pamięci RAM: | 34K x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH |
| Rozmiar pamięci programu: | 320KB (320K x 8) |
| Peryferia: | I²S, POR, PWM, WDT |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 100-LQFP Exposed Pad |
| Inne nazwy: | SP000486208 |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Liczba I / O: | 76 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | C166SV2 XC23xxB Microcontroller IC 16/32-Bit 80MHz 320KB (320K x 8) FLASH PG-LQFP-100-8 |
| Konwertery danych: | A/D 16x10b |
| rdzeń Rozmiar: | 16/32-Bit |
| Core Processor: | C166SV2 |
| Łączność: | CANbus, EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI |
| Podstawowy numer części: | SA*XC2365B |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SAK-XC2365B-40F80L
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia