S912XDP512J1VAGR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla S912XDP512J1VAGR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla S912XDP512J1VAGR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup S912XDP512J1VAGR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
S912XDP512J1VAGR
- Part Number:
- S912XDP512J1VAGR
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- 16-BIT MCU S12X CORE 512KB FLA
- Wielkość zbiorów:
- 48607 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- S912XDP512J1VAGR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 2.35 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 144-LQFP (20x20) |
| Prędkość: | 80MHz |
| Seria: | HCS12X |
| Wielkość pamięci RAM: | 32K x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH |
| Rozmiar pamięci programu: | 512KB (512K x 8) |
| Peryferia: | LVD, POR, PWM, WDT |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 144-LQFP |
| Inne nazwy: | 935318077528 |
| Typ oscylatora: | External |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Liczba I / O: | 119 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Rozmiar EEPROM: | 4K x 8 |
| szczegółowy opis: | HCS12X HCS12X Microcontroller IC 16-Bit 80MHz 512KB (512K x 8) FLASH 144-LQFP (20x20) |
| Konwertery danych: | A/D 8x10b, 16x10b |
| rdzeń Rozmiar: | 16-Bit |
| Core Processor: | HCS12X |
| Łączność: | CANbus, I²C, SCI, SPI |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do S912XDP512J1VAGR
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego