S6E2H16G0AGV20000 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla S6E2H16G0AGV20000, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla S6E2H16G0AGV20000 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup S6E2H16G0AGV20000 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
S6E2H16G0AGV20000
- Part Number:
- S6E2H16G0AGV20000
- Producent:
- Cypress Semiconductor
- Opis:
- IC MCU 32BIT 544KB FLASH 120LQFP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 32858 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- S6E2H16G0AGV20000.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 120-LQFP (16x16) |
| Prędkość: | 160MHz |
| Seria: | FM4 S6E2H1 |
| Wielkość pamięci RAM: | 64K x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH |
| Rozmiar pamięci programu: | 544KB (544K x 8) |
| Peryferia: | DMA, LVD, POR, PWM, WDT |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 120-LQFP |
| Inne nazwy: | 428-3682 S6E2H16G0AGV20000-ND |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Liczba I / O: | 100 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 27 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | ARM® Cortex®-M4F FM4 S6E2H1 Microcontroller IC 32-Bit 160MHz 544KB (544K x 8) FLASH 120-LQFP (16x16) |
| Konwertery danych: | A/D 24x12b. D/A 2x12b |
| rdzeń Rozmiar: | 32-Bit |
| Core Processor: | ARM® Cortex®-M4F |
| Łączność: | CSIO, EBI/EMI, I²C, LINbus, UART/USART |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do S6E2H16G0AGV20000
Latest Aktualności
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash