S4006NS3RP jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla S4006NS3RP, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla S4006NS3RP przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup S4006NS3RP z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
S4006NS3RP
- Part Number:
- S4006NS3RP
- Producent:
- Hamlin / Littelfuse
- Opis:
- SEN SCR 600V 6A TO263
- Wielkość zbiorów:
- 47305 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.S4006NS3RP.pdf2.S4006NS3RP.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Na członkowskim (VTM) (max): | 1.6V |
| Napięcie - Stan Wyłączony: | 400V |
| Napięcie - Brama wyzwalania (VGT) (maks): | 800mV |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-263 (D2Pak) |
| Seria: | - |
| Rodzaj SCR: | Sensitive Gate |
| Package / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 110°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| szczegółowy opis: | SCR 400V 6A Sensitive Gate Surface Mount TO-263 (D2Pak) |
| Obecny - Na członkowskim (IT (RMS)) (max): | 6A |
| Obecny - Na członkowskim (It (AV)) (Max): | 3.8A |
| Obecny - Off State (max): | 5µA |
| Obecny -. Non Rep Surge 50, 60Hz (ITSM): | 83A, 100A |
| Obecny - trzymaj (Ih) (maks): | 8mA |
| Obecny - Brama wyzwalania (IGT) (maks): | 500µA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do S4006NS3RP
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen