S1MBHM4G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla S1MBHM4G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla S1MBHM4G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup S1MBHM4G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
S1MBHM4G
- Part Number:
- S1MBHM4G
- Producent:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Opis:
- DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 37732 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- S1MBHM4G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.1V @ 1A |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DO-214AA (SMB) |
| Prędkość: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101 |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | DO-214AA, SMB |
| Temperatura pracy - złącze: | -55°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Standard |
| szczegółowy opis: | Diode Standard 1A Surface Mount DO-214AA (SMB) |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 5µA @ 1000V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 1A |
| Pojemność @ VR F: | 12pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do S1MBHM4G
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen