S-812C25BPI-C4FTFU jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla S-812C25BPI-C4FTFU, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla S-812C25BPI-C4FTFU przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup S-812C25BPI-C4FTFU z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
S-812C25BPI-C4FTFU
- Part Number:
- S-812C25BPI-C4FTFU
- Producent:
- SII Semiconductor Corporation
- Opis:
- IC REG LINEAR 2.5V 30MA SNT6A
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 50699 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- S-812C25BPI-C4FTFU.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Spadek napięcia (Max): | 0.68V @ 10mA |
| Napięcie - Wyjście (Min / Fixed): | 2.5V |
| Napięcie - Wyjście (Max): | - |
| Napięcie - wejściowa (maks): | 16V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SNT-6A (H) |
| Seria: | S-812C |
| Funkcje ochronne: | Short Circuit |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 6-SMD, Flat Leads |
| PSRR: | - |
| Typ wyjścia: | Fixed |
| Konfiguracja wyjściowa: | Positive |
| Inne nazwy: | 1662-1938-1 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Ilość Regulatorów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 2.5V 30mA SNT-6A (H) |
| Obecny - Dostawa (Max): | 1.6µA |
| Current - Spoczynkowy (Iq): | 500nA |
| Obecny - Wyjście: | 30mA |
| Funkcje sterowania: | Enable |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do S-812C25BPI-C4FTFU
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia